硅片在高温工艺之后的翘曲度怎么测量
硅片翘曲度测量的重要性是因为经过一系列不太友好的摩擦之后，我国各企业都明白芯片以及各类电子器件有多重要，只有自身拥有相关工艺技术才能不被妨碍到自我发展。硅片作为道技术壁垒，现在的规模以及标准都是往日不可比的，但在扩散、氧化一系列的高温工艺之后，硅片的翘曲以及弯曲现象都会比较严重。这对光刻等后续工艺造成非常难操作的困境，器件成品率和性能会受到很大的影响。
硅晶体在710℃左右的半熔点以上就会产生塑性形变，硅片制作的一系列高温工艺通常都在1200℃~1250℃的范围之内，升温和降温的过程中热应力或者其他机械应力都会引起硅片翘曲、弯曲，所以硅片高温工艺之后的翘曲度应该怎么测量？
乐盈VI的硅片翘曲度激光测量仪测量精度达到了μm级，通过激光探头的点扫描模式或者线扫描模式进行硅片翘曲度的快速无损测量，起到快速、高精度还不损伤硅片的作用。平面度翘曲度测量仪具有开放式工作台设计，方便取放硅片，也方便搭配自动化上下料系统。操作方便简单，不需要的培训就能轻松上手，大大降低了众硅片企业的人工成本。
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乐盈VI激光翘曲度测量仪可根据被测物体大小定制各种尺寸，欢迎致电乐盈VI服务热线咨询：400-0528-668
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